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  压控晶振SMD1409

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压控晶振SMD1409

压控晶振VCXO
一、压控晶振 技术规格
指标参数参数值备注
频率范围5-300MHZ可定制
输出波形Sine方波PECL
输出输出幅度0-7dBm标准标准可定制
特性输出负载50Ω15pF/
谐波/占空比 -30dBc45-55%45-55%
杂散抑制 -70dBc -70dBc -70dBc
温度特性 ±25ppm @25℃
温度范围 -40 +85 ℃
年老化率 ±3 - ±5ppm
频率相位噪声
稳定   @10Hz ≤-65dBc/Hz
  @100Hz ≤-95dBc/Hz
  @1KHz ≤-122dBc/Hz @122.88MHz
  @10KHz ≤-138dBc/Hz
  @100KHz ≤-142dBc/Hz
频率调节方式电压调节
调节压控电压范围按照客户要求 @电压调节
频率调节范围±50-±150ppm可定制
线性度±1%/±3%/±5% Max
压控斜率正斜率
电源工作电压3.3V / 5V
输入工作电流50mA Max @122.88MHz
储存温度 -55 +125 ℃
压控晶振VCXO
一、压控晶振 技术规格
指标参数参数值备注
频率范围5-300MHZ可定制
输出波形SineTTLHCMOS
输出输出幅度0-7dBm标准标准可定制
特性输出负载50Ω15pF15pF
谐波/占空比 -30dBc45-55%45-55%
杂散抑制 -70dBc -70dBc -70dBc
温度特性 ±25ppm @25℃
温度范围 -40 +85 ℃
年老化率 ±3 - ±5ppm
频率相位噪声
稳定   @10Hz ≤-120dBc/Hz
  @100Hz ≤-125dBc/Hz
  @1KHz ≤-130dBc/Hz @32.768MHz
  @10KHz ≤-140dBc/Hz
  @100KHz ≤-145dBc/Hz
频率调节方式电压调节
调节压控电压范围按照客户要求 @电压调节
频率调节范围±50-±150ppm可定制
线性度±1%/±3%/±5% Max
压控斜率正斜率
电源工作电压3.3V / 5V
输入工作电流15mA Max @32.768MHz
储存温度 -55 +125 ℃
压控晶振VCXO
一、压控晶振 技术规格
指标参数参数值备注
频率范围5-300MHZ可定制
输出波形Sine方波PECL
输出输出幅度0-7dBm标准标准可定制
特性输出负载50Ω15pF/
谐波/占空比 -30dBc45-55%45-55%
杂散抑制 -70dBc -70dBc -70dBc
温度特性 ±25ppm @25℃
温度范围 -40 +85 ℃
年老化率 ±3 - ±5ppm
频率相位噪声
稳定   @10Hz ≤-70dBc/Hz
  @100Hz ≤-90dBc/Hz
  @1KHz ≤-120dBc/Hz @317MHz
  @10KHz ≤-130dBc/Hz
  @100KHz ≤-145dBc/Hz
频率调节方式电压调节
调节压控电压范围按照客户要求 @电压调节
频率调节范围±50-±150ppm可定制
线性度±1%/±3%/±5% Max
压控斜率正斜率
电源工作电压3.3V / 5V / 12V
输入工作电流30mA Max @317MHz
储存温度 -55 +125 ℃


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