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AO3407  P沟道增强型功率MOSFET

该AO3407采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），该装置适用于负荷开关或在PWM应用。
总体特征
●VDS =-30V，id= -4.1A
RDS（ON）＜95mΩ@ VGS = -4.5v
RDS（ON）< 65mΩ@ VGS = - 10V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理

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