SKM400GB126D西门康
赛米控SKM400GB126D
产品性能和作用 赛米控SKM400GB126D沟道型IGBT模块可降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提高UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率。赛米控SKM400GB126D沟道型IGBT模块与超快速软恢复二极管封装在一起。与穿透型(PT)和非穿透型(NPT)IGBT相比较，新IGBT系列拥有较低的集电极到发射极饱和电压(VCE(on))及总开关能量(ETS)。此外，内置超快速软恢复二极管也能提高效率且降低EMI。
赛米控SKM400GB126D基本参数：沟道IGBT模块，400A/1200V。
赛米控SKM400GB126D 封装尺寸和结构图（mm）
如等效电路图所示给栅极一发射极间加阈值电压u。以上的(正)电压，在栅极电极正下方的P层上形成反型层(沟道)，从而开始从发射极电极F的N一层注人电子。浚电子为PNP晶体管的少数载流子，它从集电极衬底P+层开始流人空穴，进行电导率调制(双极工作)，可以降低集电极一发射极问的饱和电压。在其发射极电极侧形成有NPN寄生晶体管。若NPN寄生晶体管工作，它又变成P+，N一，P一，N+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流，此时通过糯出信号已不能进行控制。一般称这种状态为闭锁状态。
