BSM50GX120DN2英飞凌IGBT模块Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 36-Pin (Alt: BSM50GX120DN2)
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | IGBT 模块 |
| RoHS: |  详细信息 |
| 产品: | IGBT Silicon Modules |
| 配置: | 3-Phase |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流: | 78 A |
| 栅极—射极漏泄电流: | 200 nA |
| Pd-功率耗散: | 400 W |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压: | 20 V |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 工厂包装数量: |
