商品详情

ＲＡＣＴＲＯＮ　　温补压控晶体振荡器规格书

输出频率

输出

参数

波形

标准

占空比

出厂校准

频率稳定度

年老化

温度特性

电压特性

负载特性

压控

牵引范围

控制电压范围

其他

工作电压

工作电流

存储温度

封装尺寸

≤±1.0

≤±2.0

≤±0.1

≤±0.1

ppm

ppm

ppm

ppm

第1年

-30～85℃@ 25℃

Vs±5%

Load±10%

方波

HCMOS

45 ～55

≤±1.0

值

单位

---

---

%

ppm

VC=1.5±0.1V

负载：15 pF

版本: A

2011-06-28

45.000MHz－ＳＭＤ　５０７０－ＨＣＭＯＳ－２－３０－３３

测试条件

VH ≥ 2.8V, VL≤ 0.4V

≥±5

0～3

ppm

VDC

斜率:正

中心电压：1.5±0.1V

3.3±5%

≤30

-50～+90

5*7*2.2 Max.

VDC

mA

℃

mm

@25℃,稳态时

1.Voltage Control

2.GND

3.Output

4.Vdd

拟制/日期：

审核/日期：

温补压控晶体振荡器规格书

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参数

波形

标准

占空比

出厂校准

频率稳定度

年老化

温度特性

电压特性

负载特性

压控

牵引范围

控制电压范围

其他

工作电压

工作电流

存储温度

封装尺寸

≤±1.0

≤±2.0

≤±0.1

≤±0.1

ppm

ppm

ppm

ppm

第1年

方波

HCMOS

45 ～55

≤±1.0

值

单位

---

---

%

ppm

版本: A

2011-06-28

45.000MHz

测试条件

负载：15 pF

VH ≥ 2.8V, VL≤ 0.4V

VC=1.5±0.1V

-30～85℃@ 25℃

Vs±5%

Load±10%

≥±5

0～3

ppm

VDC

斜率:正

中心电压：1.5±0.1V

3.3±5%

≤30

-50～+90

5*7*2.2 Max.

VDC

mA

℃

mm

@25℃,稳态时

1.Voltage Control

2.GND

3.Output

4.Vdd

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参数

波形

标准

占空比

出厂校准

频率稳定度

年老化

温度特性

电压特性

负载特性

压控

牵引范围

控制电压范围

其他

工作电压

工作电流

存储温度

封装尺寸

≤±1.0

≤±2.0

≤±0.1

≤±0.1

ppm

ppm

ppm

ppm

第1年

方波

HCMOS

45 ～55

≤±1.0

值

单位

---

---

%

ppm

版本: A

2011-06-28

45.000MHz

测试条件

负载：15 pF

VH ≥ 2.8V, VL≤ 0.4V

VC=1.5±0.1V

-30～85℃@ 25℃

Vs±5%

Load±10%

≥±5

0～3

ppm

VDC

斜率:正

中心电压：1.5±0.1V

3.3±5%

≤30

-50～+90

5*7*2.2 Max.

VDC

mA

℃

mm

@25℃,稳态时

1.Voltage Control

2.GND

3.Output

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