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TCXO    Temperature Compensated Crystal Oscillators   温补晶振

TCVCXO  TemperatureCompensated Voltage Controlled Oscillators 温补压控晶振

温补晶振 TCXO10MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 5.0V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO20MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO20MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO20MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO20MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO40MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO40MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO40MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO40MHz  ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

一、温补晶振的应用                  

通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器

二、温补晶振的主要技术指标

1)温补晶振 频率范围:1.00-80.00MHz

2) 温补晶振的频率准确度: A ≤±1.0ppm @25℃   B ≤±0.5ppm @25℃  

3) 温补晶振的频率调整:  1 Ageingadjustment: ≥ ±5ppm

                       2No frequency adjustment

4) 温补晶振的工作温度范围: C  -20-+70℃  D  -40-+85℃  E  -55-+105℃  

5) 温补晶振的温度频率稳定度:F  ±0.28ppm  G  ±0.5ppm   H  ±1.0ppm

                            I  ±1.5ppm  J  ±2.0ppm   K ±2.5ppm

6) 温补晶振的输出波形: 1 Sine 正弦波 2 Hcmos 方波3 Clipped Sine 削峰正弦波

7) 温补晶振的工作电压范围: L 3.3V±10%  M 5.0V±10%

8) 温补晶振的频率老化率: ±1ppm maximum in firstyear,±3ppm maximum for 10 years

9) 温补晶振的相位噪声:

10) 温补晶振的封装、尺寸:

N DIP 21*13*5mm   O DIP 18*12*5mm  P DIP 20*20*10mm     Q DIP 36*27*16mm

R SMD 5*3*1mm     S SMD7*5*2mm    T SMD 9*7*3mm        U SMD 14*9*6mm

11) 温补晶振的储存温度范围： -55-+125℃

三、产品定型RTT-10MHZ-B 2 D G 1 M S

各大品牌温补晶振.温补晶振指标：

Ractron温补晶振,温补压控晶振

Citizen温补晶振, 温补压控晶振

Cmac温补晶振, 温补压控晶振

NDK温补晶振, 温补压控晶振

Rakon温补晶振, 温补压控晶振

Raltron温补晶振, 温补压控晶振

TDK温补晶振, 温补压控晶振

Vectron温补晶振，温补压控晶振

温补晶振 TCXO10MHz  ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm

温补晶振 TCXO10MHz  ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm

温补晶振 TCXO20MHz  ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm