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压控晶振SMD1409批发
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压控晶振SMD1409
| 压控晶振 | VCXO | ||||
| 一、压控晶振 技术规格 | |||||
| 指标参数 | 参数值 | 备注 | |||
| 频率范围 | 5-300MHZ | 可定制 | |||
| 输出波形 | Sine | 方波 | PECL | ||
| 输出 | 输出幅度 | 0-7dBm | 标准 | 标准 | 可定制 |
| 特性 | 输出负载 | 50Ω | 15pF | / | |
| 谐波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
| 杂散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
| 温度特性 | ±25ppm | @25℃ | |||
| 温度范围 | -40 ＋85 ℃ | ||||
| 年老化率 | ±3 - ±5ppm | ||||
| 频率 | 相位噪声 | ||||
| 稳定 | @10Hz | ≤-65dBc/Hz | |||
| 性 | @100Hz | ≤-95dBc/Hz | |||
| @1KHz | ≤-122dBc/Hz | @122.88MHz | |||
| @10KHz | ≤-138dBc/Hz | ||||
| @100KHz | ≤-142dBc/Hz | ||||
| 频率 | 调节方式 | 电压调节 | |||
| 调节 | 压控电压范围 | 按照客户要求 | @电压调节 | ||
| 频率调节范围 | ±50-±150ppm | 可定制 | |||
| 线性度 | ±1%/±3%/±5% | Max | |||
| 压控斜率 | 正斜率 | ||||
| 电源 | 工作电压 | 3.3V / 5V | |||
| 输入 | 工作电流 | 50mA Max | @122.88MHz | ||
| 储存温度 | -55 ＋125 ℃ | ||||
| 压控晶振 | VCXO | ||||
| 一、压控晶振 技术规格 | |||||
| 指标参数 | 参数值 | 备注 | |||
| 频率范围 | 5-300MHZ | 可定制 | |||
| 输出波形 | Sine | TTL | HCMOS | ||
| 输出 | 输出幅度 | 0-7dBm | 标准 | 标准 | 可定制 |
| 特性 | 输出负载 | 50Ω | 15pF | 15pF | |
| 谐波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
| 杂散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
| 温度特性 | ±25ppm | @25℃ | |||
| 温度范围 | -40 ＋85 ℃ | ||||
| 年老化率 | ±3 - ±5ppm | ||||
| 频率 | 相位噪声 | ||||
| 稳定 | @10Hz | ≤-120dBc/Hz | |||
| 性 | @100Hz | ≤-125dBc/Hz | |||
| @1KHz | ≤-130dBc/Hz | @32.768MHz | |||
| @10KHz | ≤-140dBc/Hz | ||||
| @100KHz | ≤-145dBc/Hz | ||||
| 频率 | 调节方式 | 电压调节 | |||
| 调节 | 压控电压范围 | 按照客户要求 | @电压调节 | ||
| 频率调节范围 | ±50-±150ppm | 可定制 | |||
| 线性度 | ±1%/±3%/±5% | Max | |||
| 压控斜率 | 正斜率 | ||||
| 电源 | 工作电压 | 3.3V / 5V | |||
| 输入 | 工作电流 | 15mA Max | @32.768MHz | ||
| 储存温度 | -55 ＋125 ℃ | ||||
| 压控晶振 | VCXO | ||||
| 一、压控晶振 技术规格 | |||||
| 指标参数 | 参数值 | 备注 | |||
| 频率范围 | 5-300MHZ | 可定制 | |||
| 输出波形 | Sine | 方波 | PECL | ||
| 输出 | 输出幅度 | 0-7dBm | 标准 | 标准 | 可定制 |
| 特性 | 输出负载 | 50Ω | 15pF | / | |
| 谐波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
| 杂散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
| 温度特性 | ±25ppm | @25℃ | |||
| 温度范围 | -40 ＋85 ℃ | ||||
| 年老化率 | ±3 - ±5ppm | ||||
| 频率 | 相位噪声 | ||||
| 稳定 | @10Hz | ≤-70dBc/Hz | |||
| 性 | @100Hz | ≤-90dBc/Hz | |||
| @1KHz | ≤-120dBc/Hz | @317MHz | |||
| @10KHz | ≤-130dBc/Hz | ||||
| @100KHz | ≤-145dBc/Hz | ||||
| 频率 | 调节方式 | 电压调节 | |||
| 调节 | 压控电压范围 | 按照客户要求 | @电压调节 | ||
| 频率调节范围 | ±50-±150ppm | 可定制 | |||
| 线性度 | ±1%/±3%/±5% | Max | |||
| 压控斜率 | 正斜率 | ||||
| 电源 | 工作电压 | 3.3V / 5V / 12V | |||
| 输入 | 工作电流 | 30mA Max | @317MHz | ||
| 储存温度 | -55 ＋125 ℃ |
温补晶振｜温补压控晶振常用技术指标
温补晶振｜IQD，Cmac，Rakon品牌
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillators 温补晶振
TCVCXO Temperature Compensated Voltage ControlledOscillators 温补压控晶振
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 5.0V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm