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压控晶振VCXO压控晶振指标

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规格:压控晶振VCXO压控晶振指标

包装:压控晶振VCXO压控晶振指标

品牌:压控晶振VCXO压控晶振指标

深圳市瑞科创晶振穿心电容公司

 
     
     
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压控晶振VCXO|压控晶振指标

压控晶振SMD5032

压控晶振

   

VCXO

一、压控晶振 技术规格

指标参数

参数值

备注

频率范围

5-300MHZ

可定制

输出波形

Sine

方波

PECL

输出

输出幅度

0-7dBm

标准

标准

可定制

特性

输出负载

50Ω

15pF

/

谐波/占空比

-30dBc

45-55%

45-55%

杂散抑制

-70dBc

-70dBc

-70dBc

温度特性

±25ppm

@25℃

温度范围

-40 ﹢85 ℃

年老化率

±3 - ±5ppm

频率

相位噪声  

稳定

  @10Hz

≤-65dBc/Hz

  @100Hz

≤-95dBc/Hz

  @1KHz

≤-122dBc/Hz

@122.88MHz

  @10KHz

≤-138dBc/Hz

  @100KHz

≤-142dBc/Hz

频率

调节方式

电压调节

调节

压控电压范围

按照客户要求

@电压调节

频率调节范围

±50-±150ppm

可定制

线性度

±1%/±3%/±5%  

Max

压控斜率

正斜率

电源

工作电压

3.3V / 5V

输入

工作电流

50mA Max

@122.88MHz

储存温度

-55 ﹢125 ℃

压控晶振

 

VCXO

一、压控晶振 技术规格

指标参数

参数值

备注

频率范围

5-300MHZ

可定制

输出波形

Sine

TTL

HCMOS

输出

输出幅度

0-7dBm

标准

标准

可定制

特性

输出负载

50Ω

15pF

15pF

谐波/占空比

-30dBc

45-55%

45-55%

杂散抑制

-70dBc

-70dBc

-70dBc

温度特性

±25ppm

@25℃

温度范围

-40 ﹢85 ℃

年老化率

±3 - ±5ppm

频率

相位噪声  

稳定

  @10Hz

≤-120dBc/Hz

  @100Hz

≤-125dBc/Hz

  @1KHz

≤-130dBc/Hz

@32.768MHz

  @10KHz

≤-140dBc/Hz

  @100KHz

≤-145dBc/Hz

频率

调节方式

电压调节

调节

压控电压范围

按照客户要求

@电压调节

频率调节范围

±50-±150ppm

可定制

线性度

±1%/±3%/±5%  

Max

压控斜率

正斜率

电源

工作电压

3.3V / 5V

输入

工作电流

15mA Max

@32.768MHz

储存温度

-55 ﹢125 ℃

压控晶振

   

VCXO

一、压控晶振 技术规格

指标参数

参数值

备注

频率范围

5-300MHZ

可定制

输出波形

Sine

方波

PECL

输出

输出幅度

0-7dBm

标准

标准

可定制

特性

输出负载

50Ω

15pF

/

谐波/占空比

-30dBc

45-55%

45-55%

杂散抑制

-70dBc

-70dBc

-70dBc

温度特性

±25ppm

@25℃

温度范围

-40 ﹢85 ℃

年老化率

±3 - ±5ppm

频率

相位噪声  

稳定

  @10Hz

≤-70dBc/Hz

  @100Hz

≤-90dBc/Hz

  @1KHz

≤-120dBc/Hz

@317MHz

  @10KHz

≤-130dBc/Hz

  @100KHz

≤-145dBc/Hz

频率

调节方式

电压调节

调节

压控电压范围

按照客户要求

@电压调节

频率调节范围

±50-±150ppm

可定制

线性度

±1%/±3%/±5%  

Max

压控斜率

正斜率

电源

工作电压

3.3V / 5V / 12V

输入

工作电流

30mA Max

@317MHz

储存温度

-55 ﹢125 ℃

压控晶振VCXO压控晶振指标