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恒温晶振、恒温压控晶振。深圳市瑞科创电子有限公司成立于2006年9月。恒温晶振应用于通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对抗、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器。

OCXO    Oven controlled Crystal Oscillators   恒温晶振

恒温晶振 主要技术指标

1) 恒温晶振 频率范围:1.00-160.00MHz

2) 恒温晶振工切：SC Cut OCXO   AT Cut OCXO

3) 恒温晶振频率准确度: A ≤±0.5ppm @25℃   B ≤±0.1ppm @25℃ 

                                  C ≤±0.05ppm @25℃   D ≤±0.01ppm @25℃  

4) 恒温晶振频率调整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm

                                  4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm

5) 恒温晶振压控电压 ： 0 - 5V

6) 恒温晶振工作温度范围: E   0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃ 

H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃

7) 恒温晶振温度频率稳定度: 1 ppb = ppm 1/1000

K ±0.1ppm    L ±0.05ppm   M ±0.03ppm     N ±0.02ppm

O ±0.01ppm    P ±0.03ppm     Q ±0.005ppm    R ±0.001ppm

8) 恒温晶振输出波形: 1 HCMOS           2  TTL                 3 ACMOS

4 Sine   输出电平   ≥+2dBm    ≥+5dBm    @ 50?

谐波抑制   ≤-20dBc   ≤-30dBc  @ 50?

杂波抑制   ≤-70dBc   ≤-75dBc   @ 50?

5 Clipped Sine     ≥1Vp-p    10k?//10pF

9) 恒温晶振工作电压范围: S 3.3V   T 5.0V   U 12.0V   W 15.0V

10) 恒温晶振功耗：Warm up 开机 ≤3.5W-7.0W 

                           @25℃   稳定 ≤1.2W-3.5W

11) 恒温晶振相位噪声:

12) 恒温晶振频率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years

                      ±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years

13) 恒温晶振 封装、尺寸:

N DIP 21*13*12mm   O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm      Q DIP 30*30*16mm

R DIP 36*27*16mm   S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm      U SMD 25*22*14mm

14) 恒温晶振 储存温度范围： -55-+90℃

恒温晶振 产品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N

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